芯片上的光致超导性

德国汉堡MaxPlanckInstitutefortheStructureandDynamicsofMatter（MPSD）的研究人员已经证明，用激光束转换非导电性的能力可以集成在芯片上，打开了对电子应用程序的热情

他们的研究成果现在发表在NatureCommunications上，也表明光激发K₃C₆₀的电响应不是线性的，也就是说，样本的存在取决于施加的电流这是超导性的关键特征，验证了先前的观测结果，并为K₃C₆₀薄膜的物理性质提供了新的信息和展望

材料停止的理论操作产生了超导电性，高温是PSD的搜索焦点迄今为止，该策略已在某些材料中取得了成功，包括uprates、k-（ET）₂-Xand k₃C₆₀在先前对这些材料中的光学驱动态的研究中，已经观察到增强的电相干和提高的电阻

在这项研究中，部署在芯片非线性太赫兹光谱上的研究人员对皮秒传输测量的倒数进行了分析（皮秒的峰值条件）K₃C₆₀的连接薄膜与共面波导进行光电导开关使用可见的激光脉冲触发开关，它们会在材料中产生仅一皮秒的大电流脉冲在穿过固体并绕着半个光速行进后，电流脉冲到达另一个用作检测器的开关，以检测重要的信息，例如超导的特征电信号

通过同时将K₃C₆₀薄膜暴露在光线下，可以观察到光学激发材料中的非线性电流变化这种所谓的临界电流行为和迈斯纳效应是超导体的两个关键特征然而，到目前为止，还没有任何测量结果——这使得这一对异常电流行为的证明尤其重要此外，研究还发现，K₃C₆₀的理论驱动状态与所谓的秩超导体相似，由弱连接的超导体岛组成

MPSD是唯一一个在超临界条件下进行此类测量的芯片组，芯片组经过设计并安装在外壳中“我们开发了一个技术平台，专门用于探测非线性输运现象，如非线性和正常的Halleffect、Andreevreflection和其他，”合著者、Cavallergroup的科学家Eryin Wang说此外，非平衡超导电性在光电平台中的集成也有助于基于这种效应的设备

AndreaCavaleri在搜索组中发现并披露了当前样式，他补充道：“这项工作强调了汉堡eMPS的科学和技术发展，在那里，新的实验方法正在不断发展，以实现新的科学理解。近十年来，我们一直在研究超快速电力传输方法，并致力于研究平衡材料中的任何新现象，并有可能引入技术的弹性变化。”

在德国汉堡的自由电子激光科学中心（CFEL）的MPSD的实验室中进行了这些结果的搜索