研究团队开发硒化锡基材料的新薄膜沉积工艺

一个研究小组开发了一种新的硒化锡基材料薄膜沉积工艺。该工艺利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，能够在200°C的低温下在大型晶圆表面沉积薄膜，实现卓越的精度和可扩展性

研究结果于2024年4月9日在线发表在《先进材料》杂志上。

MOCVD是一种尖端技术，它利用气体前体进行高精度的化学反应，使在半导体中使用的晶圆级材料上沉积薄膜成为可能

得益于这种创新方法，该团队能够在晶圆单元上合成厚度仅为几纳米的硒化锡材料（SnSe2，SnSe）

为了在低温下实现沉积，该团队战略性地分离了配体分解和薄膜沉积的温度段。通过调整锡和硒前体的比例以及携带前体的氩气的流速，他们能够精细地控制沉积过程，从而实现高结晶度、规则排列以及控制薄膜的相位和厚度

这种先进的工艺允许在大约200°；C、 无论使用何种基板，都能大规模展示其在各种电子应用中的潜力。该团队成功地将这种方法应用于整个晶圆，保持了两种硒化锡薄膜的化学稳定性和高结晶度

研究小组由UNIST半导体材料与器件工程研究生院和材料科学与工程系的Joonki Suh教授领导，中国科学院的Feng Ding教授、世宗大学的Sungkyu Kim教授和UNIST的Changwok Jeong教授合作

主要作者Kim强调了这项研究在克服现有沉积方法局限性方面的重要性，证明了在不改变化学成分的情况下在大面积沉积多相材料的能力。这一突破为电子器件的应用和硒化锡基材料的进一步研究打开了大门

Suh教授强调了这项研究的创新性，根据半导体薄膜材料的相位，提出了一种基于热力学和动力学行为的独特工艺策略。该团队旨在通过开发下一代半导体材料的定制工艺来推进电子器件应用研究