该研究成果于今日(6月11日)发表在 Nature期刊上,研究人员称这代表着在实现更薄、更快、更节能电子设备的道路上迈出了重大飞跃。他们创建了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)计算机——这是几乎所有现代电子设备的核心技术——但并未依赖硅材料。相反,他们使用两种不同的二维材料开发了控制CMOS计算机中电流流动所需的两种晶体管:用二硫化钼(MoS2)制作n型晶体管,用二硒化钨(WSe2)制作p型晶体管。
宾夕法尼亚州立大学的研究人员向硅在电子领域长期的主导地位发起大胆挑战,成功制造出全球首个完全由原子级厚度的二维材料构成的CMOS计算机。他们利用二硫化钼和二硒化钨制备了2,000多个晶体管,使这台无需传统硅材料的计算机能够执行逻辑运算。虽然仍处于早期阶段,但这项突破预示着由单原子厚度材料驱动的电子产品将迎来更纤薄、更快速、能效显著提高的激动人心的未来。
该研究成果于今日(6月11日)发表在 Nature期刊上,研究人员称这代表着在实现更薄、更快、更节能电子设备的道路上迈出了重大飞跃。他们创建了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)计算机——这是几乎所有现代电子设备的核心技术——但并未依赖硅材料。相反,他们使用两种不同的二维材料开发了控制CMOS计算机中电流流动所需的两种晶体管:用二硫化钼(MoS2)制作n型晶体管,用二硒化钨(WSe2)制作p型晶体管。
信息来源
Story Source:
Materialsprovided byPenn State.Note: Content may be edited for style and length.
Journal Reference:
Subir Ghosh, Yikai Zheng, Musaib Rafiq, Harikrishnan Ravichandran, Yongwen Sun, Chen Chen, Mrinmoy Goswami, Najam U Sakib, Muhtasim Ul Karim Sadaf, Andrew Pannone, Samriddha Ray, Joan M. Redwing, Yang Yang, Shubham Sahay, Saptarshi Das.A complementary two-dimensional material-based one instruction set computer.Nature, 2025; 642 (8067): 327 DOI:10.1038/s41586-025-08963-7
微信扫一扫,分享本文