先进的测量揭示了二硒化钨的纳米级现象

半导体2D材料只有几个原子厚，其中一些表现出局部发射，光从层的一小部分发射，一次只产生一个光子。这种局域发射具有独特的性质，对新的量子技术至关重要，尤其是在光电子和量子器件应用中

研究表明，拉伸一种名为二硒化钨的2D材料会导致局部发射，许多努力都试图在层中创建具有最大应变的纳米结构。然而，NPL的先进测量表明，弯曲材料也可以产生类似的效果

在最近发表在《先进材料科学与技术》上的研究中，NPL的科学家提出，由2D层褶皱引起的2D材料弯曲是设计性能的更好方法

拉伸和弯曲的影响并不总是容易区分的，但通过结合先进的测量技术，他们的结果表明，这种替代范式是一种很有前途的室温量子光源的途径

曲率比拉伸应变更容易设计，因此这一结果可以加速低成本量子技术的发展

科学系主任Fernando Castro教授说：“这项工作是一个很好的例子，说明了将在材料和测量科学不同领域具有专业知识的团队聚集在一起，为理解先进2D材料半导体中的局域发射开辟了一种新的方式，为光电子和量子应用开辟了新的机会。”