纳米电子学处理的是极小的电子元件——晶体管、传感器和可以放在针尖上的电路。这项技术通过计算机、智能手机和医疗工具等设备为我们的日常生活提供动力
为了提高这些设备的效率和功率,科学家们正在寻找替代材料来取代标准的硅基半导体
布法罗大学领导的一项研究发表在《ACS Nano》杂志上,探讨了将二维材料与硅混合如何实现这一目标。这篇文章提出了一种更好的注入和传输电荷的方法,这一进步展示了2D材料在推进未来半导体技术方面的巨大潜力
“我们的工作研究了新兴的二维材料如何与现有的硅技术相结合,以增强功能和提高性能,为节能纳米电子学铺平道路,”该研究的主要作者、电气工程系副教授李华民博士说。
”更复杂的器件,如三端晶体管,可以从我们的发现中受益,实现增强的功能和性能。
材料设计与创新系助理教授姚飞博士是该研究的共同主要作者
“作为科学家,我们希望将组件做得更小,这样它们就可以在更小的空间内做更多的工作,”她说。“这将使我们能够创造更强大、更紧凑的先进技术。”
李和姚与合著者、电气工程系教授Vasili Perebeinos博士合作。这三人都是乌兰巴托先进半导体技术中心的成员,该中心是一个跨学科研究中心,致力于开发尖端微电子解决方案,同时为半导体行业培养下一代领导者
其他研究合著者,其中许多是二维材料、物理和纳米电子学专家,在中国、韩国、奥地利和意大利工作
姚表示:“此次合作凸显了UB在尖端半导体研究领域的领导地位,以及其培养有影响力的国际和跨学科伙伴关系的能力。”在这项研究中,该团队证明,使用薄的2D材料,如半导体二硫化钼(MoS2),与硅结合,可以制造出高效的电子器件,对电荷的注入和传输方式有很好的控制。尽管MoS2的厚度不到一纳米,但金属和硅之间的2D材料的存在可以改变电流电荷的流动方式
李说:“二维材料主要影响电荷注入或电荷如何进入材料,但并不真正影响电荷收集或电荷如何离开材料。”“无论2D材料的具体性能如何,都会发生这种情况。因此,无论你使用半导体MoS2、半金属石墨烯还是绝缘体h-BN(六方氮化硼),它们在电荷注入中都可以发挥不同的作用,但在电荷收集方面的行为都是相似的。本质上,在这种特殊条件下,2D材料的行为几乎就像它是不可见的或对收集电荷没有电阻一样。”
李说,虽然将2D材料与硅集成是下一代电子产品的一条有前景的道路,但仍然存在重大挑战,特别是在理解和工程化2D材料与3D材料相遇的电荷传输方面
“我们的研究为2D/3D界面的能带结构和电荷输运机制提供了关键的见解,特别是当2D材料缩小到单层时,”他说。“随着时间的推移,这项研究可以激发新的2D材料和设备概念的发展,最终为日常使用带来更高效、更强大的电子设备。”
Journal information: ACS Nano
Provided by University at Buffalo
2025-02-25
2025-02-22
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