此项研究成果于今日(6月11日)发表在 Nature期刊上,代表了迈向更薄、更快、更高能效电子器件的重大飞跃,研究人员表示。他们创造了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)计算机——这是几乎所有现代电子设备的核心技术——且未依赖硅材料。相反,他们使用两种不同的二维材料开发了控制CMOS计算机中电流流动所需的两种晶体管:二硫化钼用于n型晶体管,二硒化钨用于p型晶体管。
“硅通过实现场效应晶体管(FET)的持续微型化,数十年来驱动了电子学的显著进步,”宾夕法尼亚州立大学Ackley工程讲席教授、工程科学与力学系教授